BS170 vs TIP122: 프로젝트에 맞는 트랜지스터 선택

전자 프로젝트를 위해 BS170 MOSFET과 TIP122 달링턴 트랜지스터를 비교해 보세요. 각각의 장점과 트레이드오프를 알아보고, 어떤 것이 회로에 적합한지 확인하세요.

게시 팀XI LANGS Editorial

게시됨2026년 10월 19일

페이지 업데이트2026년 10월 24일

독서시간1분

빠른 답변

빠른 저전압 스위칭이 필요하다면 170 MOSFET을 선택하세요. 최대 500 mA까지 지원합니다. 마이크로컨트롤러 핀에서 매우 높은 전류 이득으로 최대 5 A의 부하를 구동해야 한다면 TIP122 달링턴 트랜지스터를 선택하세요.

스위칭 속도와 전류 용량

BS170는 저전압, 저전류 회로에서 빠른 스위칭을 위해 설계된 N채널 엔핸스먼트 모드 MOSFET입니다. 낮은 게이트 전하 덕분에 고주파 PWM이나 소형 서보 모터 제어에 이상적입니다. 반면 TIP122는 달링턴 쌍으로, 스위칭 속도를 희생하는 대신 엄청난 전류 이득(최소 1000)을 제공합니다. 100 V에서 최대 5 A 연속 전류(피크 8 A)를 처리할 수 있지만, 느린 턴오프 시간으로 인해 릴레이 드라이버나 DC 모터 속도 제어처럼 속도가 중요하지 않은 저주파 애플리케이션으로 제한됩니다.

게이트 구동 및 전압 호환성

두 트랜지스터 모두 5 V 마이크로컨트롤러 출력에서 직접 구동할 수 있지만, 그 이유는 다릅니다. BS170의 게이트 임계 전압은 5 V에서 완전히 켜질 만큼 낮습니다. 반면 TIP122의 달링턴 구성은 불과 몇 밀리암페어의 베이스 전류로 포화 상태에 도달할 만큼 충분한 이득을 제공합니다. 그러나 BS170는 전압 제어 소자로, 거의 지속적인 게이트 전류가 필요하지 않습니다. 반면 TIP122는 켜진 상태를 유지하려면 지속적인 베이스 전류(일반적으로 5–10 mA)가 필요하므로 배터리 구동 설계에서 중요할 수 있습니다.

패키지 및 물리적 크기

BS170는 소형 TO‑92 패키지로 제공되어 컴팩트하고 저전력인 설계에 적합합니다. TIP122는 더 큰 TO‑220 패키지를 사용하며, 고전류 작동을 위해 히트싱크에 볼트로 고정할 수 있습니다. 프로젝트가 공간이 제한적이고 저전력으로 작동한다면 BS170가 확실한 선택입니다. 5 A 부하에서 열을 방출해야 한다면 TIP122의 패키지가 그 옵션을 제공합니다.

한눈에 보는 트레이드오프

BS170 MOSFET: 빠른 스위칭, 낮은 게이트 구동 전류, 소형 TO‑92 패키지, 500 mA 및 저전압으로 제한됨. 스위칭 속도가 중요한 서보 제어 또는 모든 애플리케이션에 사용하세요.
TIP122 달링턴: 매우 높은 전류 이득(1000), 100 V에서 최대 5 A 처리 가능, 그러나 지속적인 베이스 전류가 필요하고 스위칭이 느립니다. 속도가 중요하지 않은 모터, 릴레이 또는 솔레노이드와 같은 고전류 부하에 사용하세요.
대안: 저전력 트랜지스터 키트: 증폭이나 저전류 스위칭을 위한 범용 소신호 트랜지스터가 필요하다면, 110개 구성의 어소트먼트가 11가지 일반적인 값을 포함합니다. 프로토타이핑이나 다양한 소신호 트랜지스터를 보유해야 할 때 유용합니다.

제품 정보

BS170 MOSFET 트랜지스터, TO-92 패키지: 최대 500 mA DC의 저전압, 저전류 애플리케이션을 위해 설계된 N채널 엔핸스먼트 모드 MOSFET. 빠른 스위칭과 낮은 온저항으로 5 V 또는 3.3 V 시스템의 소형 서보 모터 제어 또는 전력 MOSFET 게이트 드라이버에 적합합니다.

BS170 MOSFET 트랜지스터, TO-92 패키지
TIP122 NPN 달링턴 트랜지스터: 매우 높은 전류 이득 1000, 컬렉터-이미터 전압 최대 100 V, 연속 전류 5 A(피크 8 A)를 갖춘 상보형 전력 달링턴 트랜지스터. 높은 이득 덕분에 마이크로컨트롤러 핀이 추가 드라이버 단계 없이 모터나 솔레노이드 같은 큰 부하를 스위칭할 수 있지만, 느린 속도로 인해 저주파 스위칭으로 제한됩니다.

TIP122 NPN 달링턴 트랜지스터